창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N2831B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5.2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 38.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-204AD | |
공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N2831B | |
관련 링크 | 1N28, 1N2831B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
HBZ331MBBCF0KR | 330pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HBZ331MBBCF0KR.pdf | ||
TS500T33IDT | 50MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS500T33IDT.pdf | ||
TE2000B180RJ | RES CHAS MNT 180 OHM 5% 2000W | TE2000B180RJ.pdf | ||
CRCW0603330KJNEC | RES SMD 330K OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW0603330KJNEC.pdf | ||
AM2940DC-B | AM2940DC-B AMD CDIP-28 | AM2940DC-B.pdf | ||
MT52C9010EJ-20 | MT52C9010EJ-20 MT PLCC32 | MT52C9010EJ-20.pdf | ||
KGF1262 | KGF1262 OKI SMD or Through Hole | KGF1262.pdf | ||
2SK3018A | 2SK3018A RCR SMD or Through Hole | 2SK3018A.pdf | ||
KM48C512DJ6 | KM48C512DJ6 SAMSUNG SMD or Through Hole | KM48C512DJ6.pdf | ||
ILD610-1-X006 | ILD610-1-X006 VIS/INF DIP SOP | ILD610-1-X006.pdf | ||
MJW16010AG | MJW16010AG ON TO-3P | MJW16010AG.pdf |