창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2823RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 22.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-204AD | |
| 공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2823RB | |
| 관련 링크 | 1N28, 1N2823RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ES3G-M3/9AT | DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB | ES3G-M3/9AT.pdf | |
![]() | RCP1206W390RJEC | RES SMD 390 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206W390RJEC.pdf | |
![]() | CMF6522R100FKEA | RES 22.1 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6522R100FKEA.pdf | |
![]() | KAF-0261-AAA-CD-BA | CMOS Image Sensor 512H x 512V 20µm x 20µm 24-CDIP | KAF-0261-AAA-CD-BA.pdf | |
![]() | H101CYD | H101CYD BIVAR SMD or Through Hole | H101CYD.pdf | |
![]() | Z80AS10-2 | Z80AS10-2 ST DIP-40 | Z80AS10-2.pdf | |
![]() | 341B/5260 | 341B/5260 ORIGINAL MSOP10 | 341B/5260.pdf | |
![]() | 1N4099D | 1N4099D MICROSEMI SMD | 1N4099D.pdf | |
![]() | RCN06-10S/10K | RCN06-10S/10K ORIGINAL SMD | RCN06-10S/10K.pdf | |
![]() | 14.318KHZ | 14.318KHZ KDS SMD | 14.318KHZ.pdf | |
![]() | 30VF20F | 30VF20F NIHON SOT252 | 30VF20F.pdf | |
![]() | CLC4600ISO14 | CLC4600ISO14 Production SOIC-14 | CLC4600ISO14.pdf |