창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2821B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 25V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.7 옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 19V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-204AD | |
| 공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2821B | |
| 관련 링크 | 1N28, 1N2821B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | NLV32T-R56J-EF | 560nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 550 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-R56J-EF.pdf | |
![]() | CMF5514K300DHEB | RES 14.3K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5514K300DHEB.pdf | |
![]() | TP025F223Z-A-BJ | TP025F223Z-A-BJ TAIYO SMD or Through Hole | TP025F223Z-A-BJ.pdf | |
![]() | TLP665G(D4-T7) | TLP665G(D4-T7) Toshiba SMD or Through Hole | TLP665G(D4-T7).pdf | |
![]() | MKW1038 | MKW1038 MINMAX SMD or Through Hole | MKW1038.pdf | |
![]() | ST2319M | ST2319M STANSON SOT23 | ST2319M.pdf | |
![]() | TC3399N-V6 | TC3399N-V6 TAMARACK QFP-100 | TC3399N-V6.pdf | |
![]() | GVT71128DA36B5 | GVT71128DA36B5 GALVANTECH SMD or Through Hole | GVT71128DA36B5.pdf | |
![]() | RB54HCT245C | RB54HCT245C SILICONIX CDIP20 | RB54HCT245C.pdf | |
![]() | MM3725 | MM3725 MOT CAN3 | MM3725.pdf | |
![]() | BCU4066BCF | BCU4066BCF ROHM SOP-14 | BCU4066BCF.pdf | |
![]() | CL10C18JBNC | CL10C18JBNC SAMSUNG SMD | CL10C18JBNC.pdf |