창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2816B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 13.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-204AD | |
| 공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2816B | |
| 관련 링크 | 1N28, 1N2816B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | US1MFA | DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FA | US1MFA.pdf | |
![]() | CW02B3R900JE70HE | RES 3.9 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B3R900JE70HE.pdf | |
![]() | EN3962 | EN3962 MOTPHILIPS CAN3 | EN3962.pdf | |
![]() | KH01-1411H1BC-CH | KH01-1411H1BC-CH ORIGINAL LED | KH01-1411H1BC-CH.pdf | |
![]() | 628427 | 628427 ORIGINAL SMD or Through Hole | 628427.pdf | |
![]() | 761551837 | 761551837 MOLEX SMD or Through Hole | 761551837.pdf | |
![]() | SDH04 | SDH04 SDH SMD or Through Hole | SDH04.pdf | |
![]() | MAX188BEAP | MAX188BEAP MAXIM SSOP | MAX188BEAP.pdf | |
![]() | PC85791L-VPCNO1 | PC85791L-VPCNO1 NS QFP | PC85791L-VPCNO1.pdf | |
![]() | 54AC374DMQB | 54AC374DMQB TI CDIP | 54AC374DMQB.pdf | |
![]() | EGLXT915QC B3 | EGLXT915QC B3 CORTINA QFP | EGLXT915QC B3.pdf | |
![]() | LC4512B-75FT256C | LC4512B-75FT256C LATTICE BGA | LC4512B-75FT256C.pdf |