창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2811A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1.1옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 9.9V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-204AD | |
| 공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2811A | |
| 관련 링크 | 1N28, 1N2811A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | B250C1000G-E4/51 | DIODE BRIDGE 1A 400V WOG | B250C1000G-E4/51.pdf | |
![]() | CRGV2010F187K | RES SMD 187K OHM 1% 1/2W 2010 | CRGV2010F187K.pdf | |
![]() | RG3216N-47R0-B-T5 | RES SMD 47 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-47R0-B-T5.pdf | |
![]() | W83303AD | W83303AD ORIGINAL QFP-48P | W83303AD.pdf | |
![]() | 048N12N | 048N12N Infineon TO-220 | 048N12N.pdf | |
![]() | 267E1002476MR | 267E1002476MR MATSUO SMD or Through Hole | 267E1002476MR.pdf | |
![]() | BUL312LI | BUL312LI ST SMD or Through Hole | BUL312LI.pdf | |
![]() | LDEEF4120KA0N00 | LDEEF4120KA0N00 ARCOTRONI SMD | LDEEF4120KA0N00.pdf | |
![]() | 16CV22AX | 16CV22AX SANYO SMD or Through Hole | 16CV22AX.pdf | |
![]() | HFW8R-2STE1LF | HFW8R-2STE1LF FCI SMD | HFW8R-2STE1LF.pdf | |
![]() | TC55VCM316AFTN/BTGN-55 | TC55VCM316AFTN/BTGN-55 MEMORY SMD | TC55VCM316AFTN/BTGN-55.pdf | |
![]() | SA55 | SA55 APEX ZIP-12 | SA55.pdf |