창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2805B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 0.3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-204AD | |
| 공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2805B | |
| 관련 링크 | 1N28, 1N2805B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | S1AFG-M3/6B | DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC | S1AFG-M3/6B.pdf | |
![]() | 752161102GP | RES ARRAY 14 RES 1K OHM 16DRT | 752161102GP.pdf | |
![]() | UPD805322-ES | UPD805322-ES NEC BGA | UPD805322-ES.pdf | |
![]() | 33.333MHz | 33.333MHz ORIGINAL SMD or Through Hole | 33.333MHz.pdf | |
![]() | SST39VF200A-70-4C-Y1QE | SST39VF200A-70-4C-Y1QE SST BGA | SST39VF200A-70-4C-Y1QE.pdf | |
![]() | PIC17C44-33/P | PIC17C44-33/P MIC DIP | PIC17C44-33/P.pdf | |
![]() | 16CTU06S | 16CTU06S IR TO263 | 16CTU06S.pdf | |
![]() | MSQC6412C(H)-NL | MSQC6412C(H)-NL FAIRCHILD SMD or Through Hole | MSQC6412C(H)-NL.pdf | |
![]() | TH50VPF5683DASB 64M | TH50VPF5683DASB 64M ST SMD or Through Hole | TH50VPF5683DASB 64M.pdf | |
![]() | E5SB13.5600F16E22 | E5SB13.5600F16E22 CH SMD or Through Hole | E5SB13.5600F16E22.pdf | |
![]() | HEF4016BPN | HEF4016BPN ORIGINAL 14-DIP | HEF4016BPN.pdf | |
![]() | HFM307-T | HFM307-T RECTRON SMD or Through Hole | HFM307-T.pdf |