창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N1199AR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N1199A thru 1N1206AR DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준, 역극성 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 12A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 12A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-4 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 200°C | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | 1242-1028 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N1199AR | |
| 관련 링크 | 1N11, 1N1199AR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CMF5512R100DHEB | RES 12.1 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5512R100DHEB.pdf | |
![]() | EPCS4SI8N-BEJ0A | EPCS4SI8N-BEJ0A ALTERA SMD or Through Hole | EPCS4SI8N-BEJ0A.pdf | |
![]() | DO5022P-152HC | DO5022P-152HC N/A SMD or Through Hole | DO5022P-152HC.pdf | |
![]() | K4N51163QE-ZC2A | K4N51163QE-ZC2A SAMSUNG BGA | K4N51163QE-ZC2A.pdf | |
![]() | 147.000MHZ | 147.000MHZ ORIGINAL SMD-DIP | 147.000MHZ.pdf | |
![]() | SM5Z30CA | SM5Z30CA STMicroectronics SOD6 | SM5Z30CA.pdf | |
![]() | 2SB772L-E TO-126 | 2SB772L-E TO-126 UTC SMD or Through Hole | 2SB772L-E TO-126.pdf | |
![]() | LFECP10E-5F484C | LFECP10E-5F484C LATTICE BGA | LFECP10E-5F484C.pdf | |
![]() | 134143 | 134143 ORIGINAL SMD or Through Hole | 134143.pdf | |
![]() | 74ACT11032DR | 74ACT11032DR TI SOIC16 | 74ACT11032DR.pdf | |
![]() | V08 | V08 TOSHIBA TSSOP | V08.pdf | |
![]() | MF0207JT-52-0R56 | MF0207JT-52-0R56 YAGEO SMD or Through Hole | MF0207JT-52-0R56.pdf |