창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N1187 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N1183 thru 1N1187R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 300V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 35A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 35A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 190°C | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | 1N1187GN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N1187 | |
| 관련 링크 | 1N1, 1N1187 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TMK316BJ475KD-T | 4.7µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | TMK316BJ475KD-T.pdf | |
![]() | NLV32T-R47J-PFD | 470nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 500 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-R47J-PFD.pdf | |
![]() | LTC3103EMSE | LTC3103EMSE LT 10-LeadMSOP | LTC3103EMSE.pdf | |
![]() | ADC112MM | ADC112MM AD DIP | ADC112MM.pdf | |
![]() | HSMP-2863-TR1 | HSMP-2863-TR1 AGILENT SOT-323 | HSMP-2863-TR1.pdf | |
![]() | UPG138GR-E1 | UPG138GR-E1 NEC SMD or Through Hole | UPG138GR-E1.pdf | |
![]() | S1N6104AUS | S1N6104AUS MICROSEMI SMD | S1N6104AUS.pdf | |
![]() | MA430 | MA430 TOSHIBA SIP8 | MA430.pdf | |
![]() | HC49/U 11.700 | HC49/U 11.700 ORIGINAL SMD | HC49/U 11.700.pdf | |
![]() | EP1S25F672C7ES | EP1S25F672C7ES ALTERA SMD or Through Hole | EP1S25F672C7ES.pdf | |
![]() | MIC706RMY TR | MIC706RMY TR MICREL SMD or Through Hole | MIC706RMY TR.pdf | |
![]() | AT25DS161SH-B | AT25DS161SH-B Atmel SMD or Through Hole | AT25DS161SH-B.pdf |