창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1EZ200D5/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1EZ110D5-1EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1900옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 152V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1EZ200D5/TR8 | |
관련 링크 | 1EZ200D, 1EZ200D5/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
021302.5MXBP | FUSE GLASS 2.5A 250VAC 5X20MM | 021302.5MXBP.pdf | ||
416F50025AAR | 50MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50025AAR.pdf | ||
NE67839-T1-A | RF TRANSISTOR NPN SOT-143 | NE67839-T1-A.pdf | ||
XC100EP210 | XC100EP210 MOTOROLA QFP32 | XC100EP210.pdf | ||
UN5211 | UN5211 Panasonic SMD or Through Hole | UN5211.pdf | ||
685 35V 10% D | 685 35V 10% D avetron SMD or Through Hole | 685 35V 10% D.pdf | ||
6*8 2R090 | 6*8 2R090 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6*8 2R090.pdf | ||
LTF1608L-FR2R4H | LTF1608L-FR2R4H ORIGINAL SMD or Through Hole | LTF1608L-FR2R4H.pdf | ||
RCR60CT52A 336J | RCR60CT52A 336J AUK NA | RCR60CT52A 336J.pdf | ||
IS62VV25616LL-70MI | IS62VV25616LL-70MI ISSI FBGA48 | IS62VV25616LL-70MI.pdf | ||
UPD4216800G5-60-7JD | UPD4216800G5-60-7JD NEC SOP | UPD4216800G5-60-7JD.pdf | ||
RH100-20.000-18-T | RH100-20.000-18-T RALTRON SMD or Through Hole | RH100-20.000-18-T.pdf |