창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1EZ200D10E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1EZ110D5-1EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1900옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 152V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1EZ200D10E3/TR8 | |
관련 링크 | 1EZ200D10, 1EZ200D10E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | LSRK012.T | FUSE CARTRIDGE 12A 600VAC/300VDC | LSRK012.T.pdf | |
![]() | MMSZ5V6T3G | DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123 | MMSZ5V6T3G.pdf | |
![]() | NVMFS5C404NT3G | MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL | NVMFS5C404NT3G.pdf | |
![]() | RT0805CRE07523RL | RES SMD 523 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE07523RL.pdf | |
![]() | MPS0814 | MPS0814 MPS SSOP20 | MPS0814.pdf | |
![]() | JS8836A-AS | JS8836A-AS Toshiba SMD or Through Hole | JS8836A-AS.pdf | |
![]() | SG3845MDIP8 | SG3845MDIP8 SILGEN SMD or Through Hole | SG3845MDIP8.pdf | |
![]() | LM3489MMX/NOPB | LM3489MMX/NOPB NS/ MSOP8 | LM3489MMX/NOPB.pdf | |
![]() | MF0204FTE52-12K7 | MF0204FTE52-12K7 YAGEO SMD or Through Hole | MF0204FTE52-12K7.pdf | |
![]() | LLZ20B | LLZ20B Micro MINIMELF | LLZ20B.pdf | |
![]() | TND10V-680KB00AAA0 | TND10V-680KB00AAA0 NIPPON DIP | TND10V-680KB00AAA0.pdf | |
![]() | CL43B684KBFNNNC | CL43B684KBFNNNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL43B684KBFNNNC.pdf |