창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1EZ190D5/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1EZ110D5-1EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 190V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1700옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 144.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1EZ190D5/TR8 | |
관련 링크 | 1EZ190D, 1EZ190D5/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
CGA3E2NP01H562J080AA | 5600pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2NP01H562J080AA.pdf | ||
B37984M5334M051 | 0.33µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.354" L x 0.295" W(9.00mm x 7.50mm) | B37984M5334M051.pdf | ||
C921U330JZNDCAWL40 | 33pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C921U330JZNDCAWL40.pdf | ||
WMC08P22K | 0.22µF Film Capacitor 50V 80V Polyester Axial 0.382" Dia x 0.657" L (9.70mm x 16.70mm) | WMC08P22K.pdf | ||
RNF14FTC412R | RES 412 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC412R.pdf | ||
239113-001 | 239113-001 AST TQFP | 239113-001.pdf | ||
27C31 | 27C31 ORIGINAL TSSOP | 27C31.pdf | ||
SME2231MBGAC(L2A1202) | SME2231MBGAC(L2A1202) SUN/LSI BGA | SME2231MBGAC(L2A1202).pdf | ||
89CH42UG-7F41 | 89CH42UG-7F41 TOSHIBA QFP | 89CH42UG-7F41.pdf | ||
MN1873234HYH | MN1873234HYH PANSO SMD or Through Hole | MN1873234HYH.pdf | ||
BU6736BKUT | BU6736BKUT ROHM TQFP | BU6736BKUT.pdf | ||
SY059/2.8V | SY059/2.8V INTEL BGA | SY059/2.8V.pdf |