창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1EZ150D5/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1EZ110D5-1EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1300옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 114V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1EZ150D5/TR12 | |
관련 링크 | 1EZ150D, 1EZ150D5/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
06035J5R6CAWTR | 5.6pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035J5R6CAWTR.pdf | ||
416F40013CDT | 40MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40013CDT.pdf | ||
4-1393224-7 | RY211018 | 4-1393224-7.pdf | ||
242K30 | 242K30 ORIGINAL SMD or Through Hole | 242K30.pdf | ||
54LS670M/B2CJC(SNJ54LS670FK) | 54LS670M/B2CJC(SNJ54LS670FK) N/A LCC | 54LS670M/B2CJC(SNJ54LS670FK).pdf | ||
DS1867E-100/TR | DS1867E-100/TR DALLAS ORIGINAL | DS1867E-100/TR.pdf | ||
T0820TCQG | T0820TCQG atmel SMD or Through Hole | T0820TCQG.pdf | ||
MB15F07SL-PFV1-G-BND-ER | MB15F07SL-PFV1-G-BND-ER FUJITSU NA | MB15F07SL-PFV1-G-BND-ER.pdf | ||
IS45S16320D-6BLA1 | IS45S16320D-6BLA1 ISSI 32M 16 SDRAM BGA54 | IS45S16320D-6BLA1.pdf | ||
SCL4053BE | SCL4053BE ML DIP16 | SCL4053BE.pdf | ||
BSME500ETD4R7ME11D | BSME500ETD4R7ME11D NIPPON DIP | BSME500ETD4R7ME11D.pdf | ||
ZMM15V 1206 | ZMM15V 1206 ORIGINAL SMD or Through Hole | ZMM15V 1206.pdf |