창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1EZ140D2E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1EZ110D5-1EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 140V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 106.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1EZ140D2E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 1EZ140D2E, 1EZ140D2E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SR215A470JARTR1 | 47pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR215A470JARTR1.pdf | |
![]() | VJ1206A151JBAAT4X | 150pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A151JBAAT4X.pdf | |
![]() | B37872K5102K070 | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | B37872K5102K070.pdf | |
| BYT56A-TR | DIODE AVALANCHE 50V 3A SOD64 | BYT56A-TR.pdf | ||
![]() | HSMS-2852-TR1G | DIODE SCHOTTKY DETECT SS SOT-23 | HSMS-2852-TR1G.pdf | |
![]() | RT0402BRE07130RL | RES SMD 130 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE07130RL.pdf | |
![]() | ES1AJ | ES1AJ MDD/ SMAJ | ES1AJ.pdf | |
![]() | B015996-0002 | B015996-0002 ORIGINAL SMD or Through Hole | B015996-0002.pdf | |
![]() | APA450BG456MHC13 | APA450BG456MHC13 ACTEL BGA-C | APA450BG456MHC13.pdf | |
![]() | IS61WV12816DBLL-10TI | IS61WV12816DBLL-10TI TI SMD or Through Hole | IS61WV12816DBLL-10TI.pdf | |
![]() | MSB1224(M)D-3W | MSB1224(M)D-3W ORIGINAL DIP | MSB1224(M)D-3W.pdf | |
![]() | MSM4510RS | MSM4510RS OKI DIP14 | MSM4510RS.pdf |