창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1EZ110D10E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1EZ110D5-1EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 570 옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 83.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1EZ110D10E3/TR8 | |
관련 링크 | 1EZ110D10, 1EZ110D10E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 0603C-8N7J | 0603C-8N7J ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603C-8N7J.pdf | |
![]() | K4B1G0846E-HCGA | K4B1G0846E-HCGA SAMSUNG FBGA | K4B1G0846E-HCGA.pdf | |
![]() | 0805AS-4R3J-01 | 0805AS-4R3J-01 Fastron NA | 0805AS-4R3J-01.pdf | |
![]() | MAX807MEWE | MAX807MEWE MAXIM WSOP16 | MAX807MEWE.pdf | |
![]() | MCT0603500.5%NLP5332K | MCT0603500.5%NLP5332K ORIGINAL SMD or Through Hole | MCT0603500.5%NLP5332K.pdf | |
![]() | ZZ3 | ZZ3 GENTRAL 23-5.6V | ZZ3.pdf | |
![]() | NL453232T331J | NL453232T331J TDK SMD or Through Hole | NL453232T331J.pdf | |
![]() | TAS5100L | TAS5100L TI TSSOP32 | TAS5100L.pdf | |
![]() | A09-472JP | A09-472JP ORIGINAL DIP | A09-472JP.pdf | |
![]() | ADC180CA | ADC180CA ORIGINAL DIP | ADC180CA.pdf | |
![]() | DG153AP/883 | DG153AP/883 BT CDIP | DG153AP/883.pdf | |
![]() | PCA1602T/F2 | PCA1602T/F2 PHILIPS PMFP8 | PCA1602T/F2.pdf |