창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-1DAB180 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 1DAB180 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SOT23 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 1DAB180 | |
관련 링크 | 1DAB, 1DAB180 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | GL061F35IET | 6.144MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL061F35IET.pdf | |
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![]() | MCR100JZHF4220 | RES SMD 422 OHM 1% 1W 2512 | MCR100JZHF4220.pdf | |
![]() | Y11200R90000D9R | RES SMD 0.9 OHM 0.5% 1/4W 1610 | Y11200R90000D9R.pdf | |
![]() | SBD-GVFTDB0-XF | SBD-GVFTDB0-XF EOI ROHS | SBD-GVFTDB0-XF.pdf | |
![]() | M655P669.3266 | M655P669.3266 IDT SMDDIP | M655P669.3266.pdf | |
![]() | LBG16VB222S12X20LL | LBG16VB222S12X20LL ORIGINAL DIP | LBG16VB222S12X20LL.pdf | |
![]() | PSMN2R0-60PS//IRFB | PSMN2R0-60PS//IRFB NXP TO-220 | PSMN2R0-60PS//IRFB.pdf | |
![]() | 2010 4.7R J | 2010 4.7R J TASUND SMD or Through Hole | 2010 4.7R J.pdf | |
![]() | SI4425DY-TI-E3 | SI4425DY-TI-E3 VISHAY SOP8 | SI4425DY-TI-E3.pdf | |
![]() | HY57V64820HGT-H-TR | HY57V64820HGT-H-TR HYNIX TSOP | HY57V64820HGT-H-TR.pdf | |
![]() | IDT9RC64V475200DP | IDT9RC64V475200DP IDT PQFP | IDT9RC64V475200DP.pdf |