창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-19-21SURC/S530-A6/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 19-21SURC/S530-A6/TR8 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 19-21SURC/S530-A6/TR8 | |
| 관련 링크 | 19-21SURC/S5, 19-21SURC/S530-A6/TR8 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | K104K10X7RF5TH5 | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K104K10X7RF5TH5.pdf | |
![]() | GCM0335C1E8R6DD03D | 8.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GCM0335C1E8R6DD03D.pdf | |
![]() | ABC2-18.432MHZ-4-T | 18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABC2-18.432MHZ-4-T.pdf | |
![]() | MLG0402Q3N0ST000 | 3nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 800 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402Q3N0ST000.pdf | |
![]() | CRCW080516M0JPTAHR | RES SMD 16M OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW080516M0JPTAHR.pdf | |
![]() | S1T8503X01-D0B0 | S1T8503X01-D0B0 SAMSUNG DIP | S1T8503X01-D0B0.pdf | |
![]() | HYMP112U64CP8-S6-C (DDR2/ 1G/ 800/ Long- | HYMP112U64CP8-S6-C (DDR2/ 1G/ 800/ Long- Hynix SMD or Through Hole | HYMP112U64CP8-S6-C (DDR2/ 1G/ 800/ Long-.pdf | |
![]() | LNR1K223MSM | LNR1K223MSM NICHICON SMD or Through Hole | LNR1K223MSM.pdf | |
![]() | ATJ2810 | ATJ2810 ORIGINAL QFN | ATJ2810.pdf | |
![]() | 15332130 | 15332130 DELPPHI SMD or Through Hole | 15332130.pdf | |
![]() | JSD41481206T | JSD41481206T GP 1206 | JSD41481206T.pdf |