창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1812R-681J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1812(R) Series | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | API Delevan Inc. | |
| 계열 | 1812R | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | - | |
| 소재 - 코어 | 인두 | |
| 유도 용량 | 680nH | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 정격 전류 | 379mA | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 1.4옴최대 | |
| Q @ 주파수 | 30 @ 25MHz | |
| 주파수 - 자기 공진 | 150MHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 25MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.126" W(3.20mm x 3.20mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.190"(4.83mm) | |
| 표준 포장 | 650 | |
| 다른 이름 | 1812R-681J TR 650 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1812R-681J | |
| 관련 링크 | 1812R-, 1812R-681J 데이터 시트, API Delevan Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008AC-21-28E-32.000000D | OSC XO 2.8V 32MHZ OE | SIT8008AC-21-28E-32.000000D.pdf | |
![]() | RP73PF1J178RBTDF | RES SMD 178 OHM 0.1% 1/6W 0603 | RP73PF1J178RBTDF.pdf | |
![]() | ERJ-T06J3R0V | RES SMD 3 OHM 5% 1/4W 0805 | ERJ-T06J3R0V.pdf | |
![]() | ANAM1282D | ANAM1282D ANAM SOP | ANAM1282D.pdf | |
![]() | AM27H256-45DC | AM27H256-45DC ADVANCEDMICRODEVICE AMD | AM27H256-45DC.pdf | |
![]() | HIF6-52PA-1.27DS | HIF6-52PA-1.27DS HIROSE SMD or Through Hole | HIF6-52PA-1.27DS.pdf | |
![]() | RP103K181D5-TR | RP103K181D5-TR RICOH SMD or Through Hole | RP103K181D5-TR.pdf | |
![]() | XC6382E231PR | XC6382E231PR TOREX SOT89 | XC6382E231PR.pdf | |
![]() | FAR-G6KE-1G8425-Y4QG- | FAR-G6KE-1G8425-Y4QG- FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-G6KE-1G8425-Y4QG-.pdf | |
![]() | TA3216M4G102-LF | TA3216M4G102-LF TECSTAR 1206-1 | TA3216M4G102-LF.pdf | |
![]() | CSTCW24M0X51001-RO | CSTCW24M0X51001-RO MURATA SMD or Through Hole | CSTCW24M0X51001-RO.pdf |