창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1812R-151H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1812(R) Series | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | API Delevan Inc. | |
| 계열 | 1812R | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | - | |
| 소재 - 코어 | 인두 | |
| 유도 용량 | 150nH | |
| 허용 오차 | ±3% | |
| 정격 전류 | 818mA | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 300m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | 30 @ 25MHz | |
| 주파수 - 자기 공진 | 500MHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 25MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.126" W(3.20mm x 3.20mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.190"(4.83mm) | |
| 표준 포장 | 650 | |
| 다른 이름 | 1812R-151H TR 650 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1812R-151H | |
| 관련 링크 | 1812R-, 1812R-151H 데이터 시트, API Delevan Inc. 에이전트 유통 | |
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![]() | NZT45H8 | TRANS PNP 60V 8A SOT-223 | NZT45H8.pdf | |
![]() | LQH2HPN6R8MJ0L | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 600mA 538 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | LQH2HPN6R8MJ0L.pdf | |
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![]() | CD54AS04F | CD54AS04F HAR/TI CDIP | CD54AS04F.pdf | |
![]() | MB603839U | MB603839U NULL NC. | MB603839U.pdf | |
![]() | MAX4366EBL-T | MAX4366EBL-T MAXIM SMD or Through Hole | MAX4366EBL-T.pdf | |
![]() | TA78DS09F(F) | TA78DS09F(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TA78DS09F(F).pdf | |
![]() | PAL22V1015PC | PAL22V1015PC AMD SMD or Through Hole | PAL22V1015PC.pdf | |
![]() | TMS320VC33C33PGE | TMS320VC33C33PGE TI QFP | TMS320VC33C33PGE.pdf | |
![]() | HYB39S64400BT/ET/CT-7/8/7.5 | HYB39S64400BT/ET/CT-7/8/7.5 MEMORY SMD | HYB39S64400BT/ET/CT-7/8/7.5.pdf |