창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1812N820J302NT 1812-82P 3KV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 1812N820J302NT 1812-82P 3KV | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 1812N820J302NT 1812-82P 3KV | |
| 관련 링크 | 1812N820J302NT , 1812N820J302NT 1812-82P 3KV 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C911U200JVNDAAWL45 | 20pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U200JVNDAAWL45.pdf | |
![]() | 7V-14.31818MAAJ-T | 14.31818MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-14.31818MAAJ-T.pdf | |
![]() | BYG10JHM3/TR3 | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | BYG10JHM3/TR3.pdf | |
![]() | FQB44N10TM | MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK | FQB44N10TM.pdf | |
![]() | MMZ2012S181ATD25 | 180 Ohm Impedance Ferrite Bead 0805 (2012 Metric) Surface Mount Signal Line 600mA 1 Lines 150 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | MMZ2012S181ATD25.pdf | |
![]() | MCR03ERTF2201 | RES SMD 2.2K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03ERTF2201.pdf | |
![]() | DAC5571IDBVR NOPB | DAC5571IDBVR NOPB TI SOT23 | DAC5571IDBVR NOPB.pdf | |
![]() | S5J-E3/57 | S5J-E3/57 VISHAY DO-214AB | S5J-E3/57.pdf | |
![]() | POT3106P-1-103 | POT3106P-1-103 MURATA STOCK | POT3106P-1-103.pdf | |
![]() | CST2.43MG | CST2.43MG muRata DIP-3P | CST2.43MG.pdf | |
![]() | FAU 031.3577 | FAU 031.3577 ORIGINAL SMD or Through Hole | FAU 031.3577.pdf | |
![]() | RY-0505D | RY-0505D RECOM SMD or Through Hole | RY-0505D.pdf |