창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1808AC102KAT9A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | High Voltage MLC Chip 600V-3000V | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | AVX Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 1000pF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 1000V(1kV) | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1808(4520 미터법) | |
크기/치수 | 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.080"(2.03mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 고전압 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1808AC102KAT9A | |
관련 링크 | 1808AC10, 1808AC102KAT9A 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ATS040-E | 4MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | ATS040-E.pdf | |
![]() | 416F38412ADT | 38.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38412ADT.pdf | |
![]() | 35ME3300HC | 35ME3300HC SANYO/ DIP-2 | 35ME3300HC.pdf | |
![]() | TPS61080DRCRG4 | TPS61080DRCRG4 TI 3k reel | TPS61080DRCRG4.pdf | |
![]() | EBF00759B | EBF00759B TOTO QFP | EBF00759B.pdf | |
![]() | LM4132CMF-4.1 | LM4132CMF-4.1 NS/TI SMD or Through Hole | LM4132CMF-4.1.pdf | |
![]() | BAS21HT1GL02 | BAS21HT1GL02 ON SMD or Through Hole | BAS21HT1GL02.pdf | |
![]() | 3AAB13096 | 3AAB13096 Agilent BGA | 3AAB13096.pdf | |
![]() | MAX309EJE | MAX309EJE MAXIM CDIP-16 | MAX309EJE.pdf | |
![]() | CJ48-1uF/750V | CJ48-1uF/750V ORIGINAL SMD or Through Hole | CJ48-1uF/750V.pdf | |
![]() | DG181BP/883 | DG181BP/883 DG DIP | DG181BP/883.pdf |