창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1584T6C1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 1584T6C1 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 1584T6C1 | |
| 관련 링크 | 1584, 1584T6C1 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| QXK2E685KTP | 6.8µF Film Capacitor 125V 250V Polyester, Metallized Radial 1.201" L x 0.500" W (30.50mm x 12.70mm) | QXK2E685KTP.pdf | ||
![]() | ASGTX-P-38.400MHZ-2-T | 38.4MHz LVPECL VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 60mA | ASGTX-P-38.400MHZ-2-T.pdf | |
![]() | ADP1147A3.3 | ADP1147A3.3 AD SMD or Through Hole | ADP1147A3.3.pdf | |
![]() | 74F821PC | 74F821PC F DIP | 74F821PC.pdf | |
![]() | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM.pdf | |
![]() | IDT54FCT573DB | IDT54FCT573DB IDT DIP | IDT54FCT573DB.pdf | |
![]() | LMSZ5226BT1G | LMSZ5226BT1G LRC SOD-123 | LMSZ5226BT1G.pdf | |
![]() | LTC8143EN | LTC8143EN LTC DIP16 | LTC8143EN.pdf | |
![]() | AK8351DS2 | AK8351DS2 AKM STOCK | AK8351DS2.pdf | |
![]() | BT454PJ | BT454PJ BT PCC44 | BT454PJ.pdf | |
![]() | NLL4532T-1R681H | NLL4532T-1R681H ORIGINAL SMD or Through Hole | NLL4532T-1R681H.pdf | |
![]() | 2SD1270-Q | 2SD1270-Q PAN TO-220 | 2SD1270-Q.pdf |