창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1206AA330JAT1A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Cap Catalog High Voltage MLC Chip 600V-3000V | |
| 제품 교육 모듈 | Component Solutions for Smart Meter Applications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | AVX Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 33pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 1000V(1kV) | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.060"(1.52mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 고전압 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1206AA330JAT1A | |
| 관련 링크 | 1206AA33, 1206AA330JAT1A 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 08051C681KAJ2A | 680pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 08051C681KAJ2A.pdf | |
![]() | VJ1206Y821KBBAT4X | 820pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y821KBBAT4X.pdf | |
![]() | ABM8G-13.560MHZ-B4Y-T | 13.56MHz ±30ppm 수정 10pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8G-13.560MHZ-B4Y-T.pdf | |
| TQ2SS-L2-3V-Z | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | TQ2SS-L2-3V-Z.pdf | ||
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![]() | SPCP825A-001B-FS071 | SPCP825A-001B-FS071 SPCP SOP20 | SPCP825A-001B-FS071.pdf | |
![]() | ZY2405FKS-1W | ZY2405FKS-1W ORIGINAL SIP7 | ZY2405FKS-1W.pdf | |
![]() | ISO1H816G TR | ISO1H816G TR Infineon SMD or Through Hole | ISO1H816G TR.pdf | |
![]() | JWFI2012C1R5KT | JWFI2012C1R5KT JW SMD or Through Hole | JWFI2012C1R5KT.pdf | |
![]() | GO6200TE-A4 | GO6200TE-A4 NVIDIA BGA | GO6200TE-A4.pdf | |
![]() | LTC1446CN8#PBF | LTC1446CN8#PBF LT SMD or Through Hole | LTC1446CN8#PBF.pdf |