창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-108HSM025M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HSM Series Datasheet | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Illinois Capacitor | |
| 계열 | HSM | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 1000µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 25V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 232m옴 @ 120Hz | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(125°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 700mA | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 0.197"(5.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.492" Dia(12.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.043"(26.50mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 108HSM025M | |
| 관련 링크 | 108HSM, 108HSM025M 데이터 시트, Illinois Capacitor 에이전트 유통 | |
![]() | 45024R2IB5.5 | FUSE CARTRIDGE 450A 5.5KVAC CYL | 45024R2IB5.5.pdf | |
![]() | 1218RMV4VC47(M)D55 | 1218RMV4VC47(M)D55 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1218RMV4VC47(M)D55.pdf | |
![]() | 32-2036 | 32-2036 ORIGINAL NEW | 32-2036.pdf | |
![]() | 1812Y1K00333KXT | 1812Y1K00333KXT SYFER SMD | 1812Y1K00333KXT.pdf | |
![]() | CF316X7R102M2000AT | CF316X7R102M2000AT KYOCERA SMD | CF316X7R102M2000AT.pdf | |
![]() | RN55D1001F | RN55D1001F ORIGINAL SMD or Through Hole | RN55D1001F.pdf | |
![]() | HA7-2605-8 | HA7-2605-8 INTERSIL DIP8 | HA7-2605-8.pdf | |
![]() | QT76C110 | QT76C110 AT BGA | QT76C110.pdf | |
![]() | WPEMULEXIOC5C4 | WPEMULEXIOC5C4 INTEL BGA | WPEMULEXIOC5C4.pdf | |
![]() | 74LCX652WMX | 74LCX652WMX NATIONALSEMICONDUCTOR NA | 74LCX652WMX.pdf | |
![]() | EMVY800SDA331MMH0S | EMVY800SDA331MMH0S nippon SMD or Through Hole | EMVY800SDA331MMH0S.pdf | |
![]() | CLC5801M | CLC5801M NSC SOP8 | CLC5801M.pdf |