창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-106MSR100K | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MSR Series Datasheet | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 필름 커패시터 | |
제조업체 | Illinois Capacitor | |
계열 | MSR | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 10µF | |
허용 오차 | ±10% | |
정격 전압 - AC | 63V | |
정격 전압 - DC | 100V | |
유전체 소재 | 폴리에스테르, 금속화 | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사 | |
크기/치수 | 1.260" L x 0.689" W(32.00mm x 17.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.122"(28.50mm) | |
종단 | PC 핀 | |
리드 간격 | 1.083"(27.50mm) | |
응용 제품 | 범용 | |
특징 | - | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 106MSR100K | |
관련 링크 | 106MSR, 106MSR100K 데이터 시트, Illinois Capacitor 에이전트 유통 |
![]() | 1N6110AUS | TVS DIODE 11.4VWM 21VC SQMELF | 1N6110AUS.pdf | |
![]() | DFE252010F-8R2M=P2 | 8.2µH Shielded Inductor 1A 520 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | DFE252010F-8R2M=P2.pdf | |
![]() | LBM2016T560J | 56µH Unshielded Wirewound Inductor 95mA 5.9 Ohm 0806 (2016 Metric) | LBM2016T560J.pdf | |
![]() | TNPW2010562KBETF | RES SMD 562K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010562KBETF.pdf | |
![]() | CRCW06033R92FNEA | RES SMD 3.92 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06033R92FNEA.pdf | |
![]() | RJ-6P-1KOHM(102) | RJ-6P-1KOHM(102) COPAL SMD or Through Hole | RJ-6P-1KOHM(102).pdf | |
![]() | IS71V16F32 | IS71V16F32 ISSI BGA | IS71V16F32.pdf | |
![]() | T491D107K016AD | T491D107K016AD KEMET SMD | T491D107K016AD.pdf | |
![]() | SR2060CS | SR2060CS TSC TO-252 | SR2060CS.pdf | |
![]() | LNBP14SP-TR-ND | LNBP14SP-TR-ND ST SOP | LNBP14SP-TR-ND.pdf | |
![]() | LC75741E | LC75741E SANYO QFP | LC75741E.pdf | |
![]() | MAX667CSATG002 | MAX667CSATG002 MAXIM SMD or Through Hole | MAX667CSATG002.pdf |