창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-103IT-52Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 103IT-52Z | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 103IT-52Z | |
| 관련 링크 | 103IT, 103IT-52Z 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ERO-S2PHF3482 | RES 34.8K OHM 1/4W 1% AXIAL | ERO-S2PHF3482.pdf | |
![]() | B9311 | B9311 EPCOS SMD or Through Hole | B9311.pdf | |
![]() | MC78L05ACDX | MC78L05ACDX FAI SOP8 | MC78L05ACDX.pdf | |
![]() | TLSH157P | TLSH157P TOSHIBA SMD or Through Hole | TLSH157P.pdf | |
![]() | ATR0621P1(58A50G) | ATR0621P1(58A50G) amtel BGA | ATR0621P1(58A50G).pdf | |
![]() | HYMP512S64CP8-Y5-C (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DI | HYMP512S64CP8-Y5-C (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DI Hynix SMD or Through Hole | HYMP512S64CP8-Y5-C (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DI.pdf | |
![]() | OZ8384LN | OZ8384LN MICRO QFN | OZ8384LN.pdf | |
![]() | ERJ6ENF1211V(1.21K) | ERJ6ENF1211V(1.21K) N/A SMD or Through Hole | ERJ6ENF1211V(1.21K).pdf | |
![]() | S29PL032J55BAI123 | S29PL032J55BAI123 SPANSION FBGA-48 | S29PL032J55BAI123.pdf | |
![]() | LTC7545ABSW | LTC7545ABSW ORIGINAL SOP20 | LTC7545ABSW .pdf | |
![]() | MT48H32M16LFCJ-10IT | MT48H32M16LFCJ-10IT MICRON FBGA | MT48H32M16LFCJ-10IT.pdf | |
![]() | KZ4E065811F | KZ4E065811F QDI QFP | KZ4E065811F.pdf |