창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-08052C103KAT2A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | X7R Dielectric Ceramic Cap Catalog | |
| 제품 교육 모듈 | Component Solutions for Smart Meter Applications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2117 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | AVX Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 10000pF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 200V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.037"(0.94mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 08052C103KAT2A/4K 478-1345-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 08052C103KAT2A | |
| 관련 링크 | 08052C10, 08052C103KAT2A 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 63MXC8200MEFCSN35X45 | 8200µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 63MXC8200MEFCSN35X45.pdf | |
![]() | 416F50023IDR | 50MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50023IDR.pdf | |
![]() | RN73C1J11K5BTDF | RES SMD 11.5KOHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J11K5BTDF.pdf | |
![]() | RCP1206B36R0JED | RES SMD 36 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B36R0JED.pdf | |
![]() | OF182JE | RES 1.8K OHM 1/2W 5% AXIAL | OF182JE.pdf | |
![]() | BL3202 | BL3202 ORIGINAL DIP8 | BL3202.pdf | |
![]() | UD5Y102P0708DT | UD5Y102P0708DT ORIGINAL SMD or Through Hole | UD5Y102P0708DT.pdf | |
![]() | PN0302-560K | PN0302-560K EREMO SMD | PN0302-560K.pdf | |
![]() | TF | TF X SC70-5 | TF.pdf | |
![]() | HCPL3120-300 | HCPL3120-300 Agilent SMD or Through Hole | HCPL3120-300.pdf | |
![]() | L2B1545(18-0000003-01) | L2B1545(18-0000003-01) LSI BGA | L2B1545(18-0000003-01).pdf | |
![]() | MPP-630V475K | MPP-630V475K JS P27.530x28x18 | MPP-630V475K.pdf |