창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-031502.8H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 313, 315 Series | |
| 제품 교육 모듈 | Fuseology - Introduction to Fuses | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | 퓨즈 | |
| 제조업체 | Littelfuse Inc. | |
| 계열 | 315 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 퓨즈 유형 | 카트리지, 유리 | |
| 정격 전류 | 2.8A | |
| 정격 전압 - AC | 250V | |
| 정격 전압 - DC | - | |
| 응답 시간 | 저속 | |
| 패키지/케이스 | 3AB, 3AG, 1/4" x 1-1/4"(축방향) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 차단 용량 @ 정격 전압 | 100A | |
| 용해 I²t | 170 | |
| 승인 | CSA, METI, UL | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 색상 | - | |
| 크기/치수 | 0.275" Dia x 1.275" L(6.99mm x 32.39mm) | |
| DC 내한성 | 0.067옴 | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | 31502.8 31502.8H H31502.8 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 031502.8H | |
| 관련 링크 | 03150, 031502.8H 데이터 시트, Littelfuse Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 9C-11.0592MEEJ-T | 11.0592MHz ±10ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C-11.0592MEEJ-T.pdf | |
![]() | 4P040F35CET | 4MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P040F35CET.pdf | |
| MURTA20040 | DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER | MURTA20040.pdf | ||
![]() | ESH1PB-M3/84A | DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | ESH1PB-M3/84A.pdf | |
![]() | E2E-C06S02-MC-B2 | Inductive Proximity Sensor 0.079" (2mm) IP67 Cylinder | E2E-C06S02-MC-B2.pdf | |
![]() | EGXE401ETD4R7MJ20S | EGXE401ETD4R7MJ20S Chemi-con NA | EGXE401ETD4R7MJ20S.pdf | |
![]() | TA48M04F-TE16L | TA48M04F-TE16L ORIGINAL SOT-252 | TA48M04F-TE16L.pdf | |
![]() | TYN825I | TYN825I ST TO-220 | TYN825I.pdf | |
![]() | LATBT686-Q+R+L | LATBT686-Q+R+L OSRAM SMD | LATBT686-Q+R+L.pdf | |
![]() | 3DA866 | 3DA866 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3DA866.pdf | |
![]() | CDRH2D11/HPNP-3R3NB | CDRH2D11/HPNP-3R3NB SUMIDA CDRH2D11HP | CDRH2D11/HPNP-3R3NB.pdf | |
![]() | SL668 | SL668 Intel Tray | SL668.pdf |