창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-02013J1R5ABSTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Accu-P® Series | |
| 제품 교육 모듈 | Component Solutions for Smart Meter Applications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2129 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 박막 커패시터 | |
| 제조업체 | AVX Corporation | |
| 계열 | Accu-P® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1.5pF | |
| 허용 오차 | ±0.05pF | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 특징 | RF, 높은 Q값, 저손실 | |
| 크기/치수 | 0.024" L x 0.013" W(0.60mm x 0.33mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.011"(0.28mm) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 02013J1R5ABSTR-ND 02013J1R5ABSTR/5K 478-4374-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 02013J1R5ABSTR | |
| 관련 링크 | 02013J1R, 02013J1R5ABSTR 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 200WXA4.7MEFCTA8X9 | 4.7µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 200WXA4.7MEFCTA8X9.pdf | |
![]() | VJ0603D560FLCAC | 56pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D560FLCAC.pdf | |
![]() | VJ2220A392JBGAT4X | 3900pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220A392JBGAT4X.pdf | |
![]() | P0102MN 5AA4 | SCR 0.8A 600V SOT223 | P0102MN 5AA4.pdf | |
![]() | D6500C11BQC | D6500C11BQC DSP PQFP | D6500C11BQC.pdf | |
![]() | TMCRE1A157MTRF | TMCRE1A157MTRF HITACHI 10V150D | TMCRE1A157MTRF.pdf | |
![]() | SKM410AMPER | SKM410AMPER SEMIKRON SMD or Through Hole | SKM410AMPER.pdf | |
![]() | 2SA812-T1B-A/M6M7 | 2SA812-T1B-A/M6M7 NEC SOT-23 | 2SA812-T1B-A/M6M7.pdf | |
![]() | P1CN012N | P1CN012N FUJITSU DIP-SOP | P1CN012N.pdf | |
![]() | C1967 | C1967 ORIGINAL SMD or Through Hole | C1967.pdf | |
![]() | 3DK8 | 3DK8 CHINA SMD or Through Hole | 3DK8.pdf | |
![]() | AM29LV081B-90EI | AM29LV081B-90EI AMD SMD or Through Hole | AM29LV081B-90EI.pdf |