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18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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19.2MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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20MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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24MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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24.576MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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25MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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26MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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27MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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28.63636MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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3.579545MHz ±30ppm 수정 18pF 180옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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3.6864MHz ±30ppm 수정 18pF 180옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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30MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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35.328MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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36MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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4MHz ±30ppm 수정 18pF 180옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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4.096MHz ±30ppm 수정 18pF 180옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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4.9152MHz ±30ppm 수정 18pF 180옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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48MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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50MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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6MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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7.3728MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US